新品發布 | 聯訊儀器4通道PXIe SMU S2019C，以1μV/1pA分辨率實現超高精度測試

  ICC訊 聯訊儀器最新推出的S2019C四通道PXIe SMU，在保持S2011C/S2012C/S2016C系列硬件平臺優勢的基礎上，實現了功能升級與性能突破。該設備創新性地集成了自動量程等智能化功能，具備四通道同步輸出與測量能力，支持±40V寬電壓范圍輸出，并提供±500mA（直流）和±1A（脈沖）雙模式電流輸出。其突破性的pA級電流測量精度，配合優異的動態性能表現，完全覆蓋傳統型號的所有應用場景，能夠滿足5G射頻器件、光電器件對測試精度和穩定性的嚴苛要求。

  1、產品特點

  分辨率高達1μV/1pA

  電流分辨率低至1pA，電壓分辨率達1μV，精準捕捉nA級漏電、μV級信號波動。

  4通道獨立/同步控制

  支持四通道并行輸出與測量，可同時完成多器件IV特性掃描或特征參數測量，大幅提升測試效率。

  ±40V/±1A寬域動態覆蓋，脈沖源與直流源集于一身

  直流±40V/±500mA，脈沖±1A輸出能力，輕松應對半導體器件測試、高精度傳感器采集等場景。

  1MS/s高速采樣 + APFC動態調優

  1MS/s超高速ADC采樣率，結合自適應精密快速控制（APFC）技術，實現輸出波形亞毫秒級穩定，瞬態響應無延遲。

直流IV輸出能力

  多卡同步 + 全棧自動化支持

  基于PXIe協議，支持多卡級聯擴展與硬件同步觸發； 采用標準SCPI進行控制，支持C#、Python、C/C++、LabVIEW等編程語言控制，無縫融入現有測試平臺。

  2、典型應用

  半導體測試/硅光晶圓測試

  半導體測試：MOSFET/ IGBT/BJT IV特性分析

  ?±40V/±1A寬范圍輸出和測量，搭配1μV/1pA分辨率，精確測量nA級到A級的電流變化。

  ?單卡四通道獨立輸出，匹配四端器件測試更加經濟高效。

  硅光晶圓測試：破解高集成芯片的暗電流難題

  在硅光芯片制造中，nA級暗電流的精準測量直接決定器件性能與良率

  ?S2019C憑借1pA分辨率，可穩定捕捉超低暗電流信號，搭配4通道并行架構，支持晶圓級多探針同步測試，實現硅光器件漏電流、響應度等參數的全覆蓋分析，為800G光模塊、激光雷達芯片提供可靠性保障。

硅光晶圓多探針同步測試

  結語

  S2019C 4通道PXIe SMU

  精準捕捉毫伏/納安級信號，掌握微弱變化

  覆蓋復雜工業場景，應對各類嚴苛測試環境

  實驗室級數據精度，助力科研創新與工業升級