敏芯半導體推出10G全系列EML光芯片產品

  ICC訊 在 2017 年工信部發布的《中國光電子器件產業技術發展路線圖(2018-2022 年)》中，明確指出了光芯片和光模塊的發展路線和規劃，提出將全面提速 DFB\EML\VCSEL 等光芯片的國產化進程，具體要求 10G EML芯片的自供率在 2022 年提升至 80%。

  隨著我國光通信網絡建設的快速推進，敏芯半導體現已推出10G全系列EML芯片產品，包含10G 1577 EML/10G 1550 TDM EML/10G DWDM EML(C波段40波)，為國內外客戶提供全系列EML產品與服務。目前該系列產品已取得客戶認證并批量出貨。

敏芯半導體 10G EML CHIP實物圖

  我國通信網絡整體架構主要包括無線接入網，有線接入網和傳輸網三大應用領域。敏芯半導體的EML光芯片產品在10G PON升級、長距傳輸及長距密波分復用領域為廣大客戶提供全系列解決方案。

  在傳輸網應用領域，一般為40km/80km長距離傳輸，對信號的質量有著很高的要求，普通DFB(直調激光器)光芯片產品由于存在啁啾等問題，無法保證長距離傳輸的信號質量，EML(電吸收調制激光器)是最佳解決方案。EML(電吸收調制激光器)的原理復雜、工藝技術難度大，目前此領域仍被國外芯片廠家壟斷。

  傳輸網處于信息匯聚的干線位置，對光芯片的壽命及可靠性更高的要求。由于EML(電吸收調制激光器)相比普通DFB(直調激光器)是穩定發光光源+外調制的工作原理。此工作特點決定了EML比DML激光器在實際應用場景中有更好的健壯性，更加符合傳輸網對激光器高可靠性的要求。

  傳輸網應用場景中由于傳輸距離較長，導致光纖資源更加緊張，通過增加光纖進行數據擴容的難度及成本更大。業內廣泛采用DWDM(密集波分復用)產品進行擴容。在不增加光纖的條件下，通過增加擴展接口來增加數據容量。

DWDM EML示意圖

  EML芯片采用EAM與DFB集成的方式組成(如下圖)。通過EA外調制的方法提升信號傳輸質量及產品可靠性，實現傳輸網應用領域光信號的長距離穩定傳輸。

  EML芯片集成方式

  敏芯半導體10G EML激光器系列采用InGaAsP/InP多量子阱結構設計和BH工藝，具有低功耗、高帶寬、高可靠性等特點。為便于追溯，芯片正表面提供十進制數字編碼。

  10G 1550nm/DWDM EML

  10G 1550nm/DWDM EML激光器，通過客戶端的眼圖測試及傳纖測試評估，可滿足傳輸網40/80km傳輸要求。

  性能指標

  DWDM波長分布

  三溫典型眼圖

  10G 1577nm EML

  10G 1577nm EML激光器，應用于有線接入網10G PON OLT端。

性能指標

三溫典型眼圖

  作為光通信領域全系列光芯片供應商，敏芯半導體持續深耕于光通信領域。未來，敏芯半導體將一如既往地秉承“做好每一顆光芯片，讓世界愛上中國芯”的使命，陸續推出性能更優，速率更高的光芯片產品，為客戶提供更多更可靠的光芯片方案選擇，讓世界愛上中國芯。