英特爾利用硅開發出40Gbps光調制器用于板卡間通信

訊石光通訊網發布時間:2007/8/1 9:19:07 編者:ICCSZ

摘要：　　【日經BP社報道】美國英特爾宣布，利用硅開發出了40Gbps的超高速的光調制器。該公司曾于2005年5月利用硅開發出了10Gbps的光調制器。今后，該公司還計劃將25個40Gbps

　　【日經BP社報道】美國英特爾宣布，利用硅開發出了40Gbps的超高速的光調制器。該公司曾于2005年5月利用硅開發出了10Gbps的光調制器。今后，該公司還計劃將25個40Gbps光調制器集成在一枚芯片上，實現1Tbps的傳輸容量，以用于超級計算機的板卡間通信等。

　　英特爾開發的是馬赫—曾德爾(Mach-Zehnder)干涉儀（MZI）型的光調制器。通過使分為2條的光信號中的一條的相位延遲180度等，將再次合成后的振幅調制為1或0。相位的控制利用了折射率隨硅材料中的載波密度而改變的原理，與此前的普通光調制器采用的原理不同，此前采用的是名為“泡克耳斯效應”的基于LiNbO3及GaAs等化合物的光電效應。

　　新產品為MZI型，這與該公司05年發布的10Gbps光調制器相同，不過此次“通過調整行波電極的設計，實現了40Gbps的調制”（英特爾）。行波電極是在光和高頻電信號前進的方向上，根據相位在一定距離設置的相互作用電極。其特點是調制效率高，易于實現高速化及低壓驅動。

　　英特爾已經將采用上述光調制器實現的30Gbps調制成果發表在了2007年1月22日的光通信技術學術雜志《Optics Express》上。并在2007年7月8～11日于美國猶他州舉行的國際會議“Integrated Photonics and Nanophotonics Research and Applications”上，宣布傳輸速度達到了40Gbps。

　　上述研究為英特爾與NEC推進的硅光子技術的一環（參閱本站報道）。英特爾計劃將25個此次開發的調制器集成在一枚芯片上，采用波分復用，確保1Tbps的傳輸容量。關于此次成果的利用方式，NEC的目標是實現配備光收發器的芯片之間的信號傳輸，而英特爾則考慮在芯片間采用銅（Cu）等金屬布線的板卡的信號傳輸方面采用這種芯片。（記者：野澤哲生）

內容來自：本站原創
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關鍵字: 英特爾光調制器
文章標題:英特爾利用硅開發出40Gbps光調制器用于板卡間通信

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