臺積電2027年退出GaN代工 轉向先進封裝應對AI需求

  ICC訊  2025年7月3日，美國加州氮化鎵（GaN）功率IC與碳化硅（SiC）技術公司Navitas Semiconductor宣布，已與中國臺灣代工廠力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp）達成戰略合作。力積電將于2026年上半年開始生產100V GaN產品，使用200mm硅晶圓。未來12-24個月內，Navitas現有的650V器件訂單將從獨家代工伙伴臺積電逐步轉移至力積電。

  這一變動源于臺積電向Navitas發出的正式通知。根據Navitas提交給美國證券交易委員會（SEC）的8-K表格文件，臺積電確認將于2027年7月底前全面終止GaN晶圓代工業務。Navitas表示，目前正在積極尋找并認證更多潛在供應商，以優化供應鏈布局并提升運營靈活性。

  市場研究機構TrendForce指出，臺積電正集中資源開發面向AI應用的先進硅制程技術，逐步退出非核心業務。具體來看，臺積電計劃將新竹Fab 5廠（原GaN產線）改造為先進封裝產線。通過復用現有潔凈室設施，公司可快速擴充芯片基板封裝（CoWoS）、晶圓堆疊（WoW）和晶圓級系統集成（WLSI）等技術的產能，以應對當前的市場需求激增。

  臺灣《工商時報》分析認為，中國競爭對手的激烈價格戰是促使臺積電戰略退出GaN領域的關鍵因素。由于GaN生產規模有限且利潤微薄，該業務已不符合臺積電的戰略定位。金融服務機構Anue的數據顯示，臺積電目前6英寸GaN晶圓的月產能為3000-4000片，其中Navitas占據過半訂單，安可半導體（Ancora Semi）也是其主要客戶之一。

  Navitas強調，與力積電的合作將確保其產品路線圖的延續性。力積電預計在2026年上半年實現100V GaN產品的量產，而650V器件的產能轉移將在兩年內分階段完成。行業觀察人士指出，臺積電的退出可能加速GaN代工市場的格局重塑，中國代工廠商有望獲得更多市場份額。

  值得注意的是，這并非臺積電首次調整業務重心。近年來，公司已逐步退出CMOS圖像傳感器等成熟制程業務，將資源集中于3nm及以下先進制程的研發。分析師認為，隨著AI芯片需求的爆炸式增長，臺積電的產能調配決策體現了其"聚焦高附加值業務"的核心戰略。

  目前，臺積電尚未就GaN產線員工安置問題發表評論。業內預計，部分技術人員可能轉崗至先進封裝部門，其余人員或將通過自然減員方式逐步分流。公司發言人僅表示："我們將確保所有業務調整都符合員工權益保障要求。"