意法跨過8吋碳化硅晶圓量產里程碑

  ICC訊 意法半導體(STMicroelectronics，ST)宣布，該公司位于瑞典Norrk?ping的工廠制造出首批8吋(200mm)碳化矽(SiC)晶圓，這些晶圓將用于生產下一代功率電子晶片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創性技術領域的領導地位，且提升了功率電子晶片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產品的擁有總成本。

  意法半導體首批8吋SiC晶圓品質十分優良，對于晶片良率和晶體位元錯誤之缺陷非常低。其低缺陷率歸功于意法半導體碳化矽公司(前身為Norstel，2019年被ST收購)在SiC矽錠生長技術深厚積累的研發技術。除了晶圓能滿足嚴格的品質標準之外，升級到8吋SiC晶圓還需要對制造設備和支援生態系統的升級。意法半導體正在與供應鏈上下游技術廠商合作研發專屬的制造設備和生產制程。

  意法半導體先進的量產碳化矽STPOWER SiC目前由義大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家6吋晶圓廠完成前段制程制造，后段制程制造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠進行。這個階段性的成功是意法半導體布局更先進的、高成本效益之8吋SiC量產計畫的一部分。到2024年，升級到8吋SiC晶圓屬于公司正在執行之新建碳化矽基板廠和內部采購碳化矽基板比重超過40%的計畫。

  意法半導體汽車和離散元件產品部總裁Marco Monti表示，汽車和工業市場正在加速推動系統和產品電氣化的進程，升級到8吋SiC晶圓將為我們的汽車和工業客戶帶來巨大優勢。隨著擴大產能，提升規模經濟效益至關重要。在覆蓋整個制造鏈的內部SiC生態系統領域累積之深厚的專業知識，可提升我們的制造彈性，還能更有效地控制晶圓良率和改善品質。

  碳化矽是一種化合物半導體材料，在電動汽車和工業制造過程等重要的高成長之功率應用領域，相較于與矽材料，碳化矽可提供更高的性能和效能。ST在SiC領域的領導地位歸功于25年的專注和研發投入，其擁有70多項專利。這項顛覆性技術可達到更高效的電力轉換，更小且更輕量化的設計，同時節省更多系統設計的整體成本，這些都是決定車用和工業系統成功的關鍵參數和因素。相較于6吋晶圓，8吋晶圓更可以增加產能，將制造積體電路可用面積擴大近一倍，合格晶片產能則為6吋晶圓的1.8~1.9 倍。