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    中芯國際:第二代FinFET N+1已進入客戶導入階段!

    摘要:有報道稱,在大規模量產14nm工藝后,中芯國際的N+1代工藝已經進入客戶導入階段,可望于2021年進入量產。

     ICC訊  作為內地規模最大的晶圓代工廠,中芯國際的一舉一動都牽動人心。

      近日有報道稱,在大規模量產14nm工藝后,中芯國際的N+1代工藝已經進入客戶導入階段,可望于2021年進入量產。


      對此,中芯國際回應稱,該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產,第二代FinFET N+1工藝已經進入客戶導入階段,可望于2020年底小批量試產。

      按照這樣的時間表推測,中芯國際N+1代工藝確實會在2021年規模量產。

      N+1是中芯國際對其第二代先進工藝的代號,但從未明確具體數字節點,只是說相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%、SoC面積縮小55%,之后的N+2工藝性能和成本都更高一些。

      今年8月底的時候,中芯國際曾表示,N+1工藝進展順利,已經進入客戶產品驗證階段。

      本文轉載自微信公眾號:中國半導體論壇

    內容來自:中國半導體論壇
    本文地址:http://www.537mt.com//Site/CN/News/2020/09/23/20200923010746046679.htm 轉載請保留文章出處
    關鍵字: 中芯國際
    文章標題:中芯國際:第二代FinFET N+1已進入客戶導入階段!
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