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    加利福尼亞大學與英特爾利用硅開發鎖模激光器 可在40GHz下工作

    摘要:   【日經BP社報道】 美國加利福尼亞大學圣芭芭拉分校(UCSB)宣布“在全球率先開發出了利用混合硅倏逝波激光器原理的鎖模激光器”(UCSB)。經驗證可在40GHz下輸出與現有激光器半
     
      【日經BP社報道】 美國加利福尼亞大學圣芭芭拉分校(UCSB)宣布“在全球率先開發出了利用混合硅倏逝波激光器原理的鎖模激光器”(UCSB)。經驗證可在40GHz下輸出與現有激光器半導體元件相同水平的脈沖振蕩。該成果已刊登在2007年9月3日出版的《Optics Express》上(論文>)。
     
      激光器由UCSB電子及計算機工程系教授John E.Bowers與英特爾的共同研究小組開發?;旌瞎栀渴挪す馄魇窃撔〗M2006年9月發表的電流激勵型激光器元件,由硅類波導組成的腔體和GaAs、InP等化合物構成(參閱本站報道)。這次,研究小組利用相同的元件結構,把工作性能提升到了實用水平。
     
      鎖模激光器輸出的激光脈沖中,每個脈沖所含的幾種波長的光的相位基本一致。脈沖光譜由間隔基本一致的波峰組成。即使脈沖寬度非常短,也有較高的穩定性,具有消光比大,波動低,噪聲低的優良性質。因此被大規模用作大容量光通信的收發元件。經確認,由GaAs等化合物組成的鎖模激光器最大可在500GHz下工作,通常使用的是在40GHz左右的頻率下工作的激光器。
     
      此次的鎖模激光器可在40GHz下工作,脈沖寬度最小僅為4ps。消光比高達18dB,“可用于通信運營商的光通信收發和生成時鐘”(該論文)。
     
      除電流激勵式激光器元件外,UCSB與英特爾的研究小組在2006年9月以后還利用硅倏逝波激光器的元件結構,開發出了增益約為13dB的光放大器,波長為1.5~1.6μm時量子效率為90%的受光元件(2007年7月發表在《materialstoday》上的另一論文):“確信該元件可以利用于大規模光集成電路”。(記者:野澤 哲生)
     
    來源:技術在線
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