北京中科院半導體所研制成功紫外半導體激光器

訊石光通訊網發布時間:2005/5/31 9:02:01 編者:ICCSZ

摘要：北京中科院半導體研究所利用現有的Thomas Swan MOCVD設備生長制作出了世界領先的近紫外波長的半導體激光器。中科院半導體所在2年前購進安裝并調試出了

北京中科院半導體研究所利用現有的Thomas Swan MOCVD設備生長制作出了世界領先的近紫外波長的半導體激光器。

中科院半導體所在2年前購進安裝并調試出了此套設備，該套設備主要用于GaN器件的生長研究。經過2年多時間的不斷試驗和制作，在集成光電子國家重點實驗室楊輝教授的帶領和陳良惠教授帶領的另外一個組的配合下，他們成功開發了國內第一個近紫外光的半導體激光器。這種激光器采用5周期InGaN/GaN 多量子阱結構作為有源層，AlGaN/GaN超晶格作為包層，光波長為410nm。

-----------光纖新聞網

內容來自：本站原創
本文地址：http://www.537mt.com//Site/CN/News/2005/05/31/20050531090201093750.htm 轉載請保留文章出處
關鍵字: 中科院
文章標題:北京中科院半導體所研制成功紫外半導體激光器

【加入收藏夾】【推薦給好友】

免責聲明：凡本網注明“訊石光通訊咨詢網”的所有作品，版權均屬于光通訊咨詢網，未經本網授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經本網授權使用作品的，應在授權范圍內使用，反上述聲明者，本網將追究其相關法律責任。
※我們誠邀媒體同行合作！聯系方式：訊石光通訊咨詢網新聞中心　電話：0755-82960080-188 debison

北京中科院半導體所研制成功紫外半導體激光器

相關新聞

在線客服