【北美】飛思卡爾利用硅技術開發3.5GHz頻帶WiMAX基站功率放大器

美國飛思卡爾半導體公司已開發出使用3.5GHz頻帶、面向WiMAX基站的功率放大器。該產品是利用半導體工藝技術以及該公司作為封裝技術的第7代高電壓（YV7）RF LDMOS（laterally diffused metal oxide semiconductor，橫向擴散金屬氧化半導體）技術實現的?；贚DMOS晶體管的WiMAX基站用功率放大器在業界尚屬首例。該公司還針對極有可能為移動WiMAX（IEEE802.16e）等分配2.5GHz頻帶的日本，正在開發采用LDMOS晶體管的芯片組，據稱將在2006年早些時候供應樣品。

該公司此次開發的是預計將用于固定通信WiMAX（IEEE802.16-2004）和歐洲移動WiMAX等的3.5GHz頻帶（3.3GHz～3.8GHz）RF功率晶體管“MRF7S38075H”。平均輸出為42dBm（16W），作為線性極限點標準的“P1dB（1dB compression point）”為70W。將與相同頻率、P1dB為40W和10W的產品同時于2006年第1季度開始供貨。

飛思卡爾的LDMOS晶體管在采用2GHz頻帶無線頻率的第3代移動電話（3G）基站中已經得到廣泛應用。但在WiMAX方面過去則一直使用采用GaAs的PHEMT（pseudomorphic HEMT）型晶體管。原因是采用比3G更高的無線頻率以及在傳輸方式中采用OFDM的WiMAX要求功率放大器要具有很高的線性及分辨率等特性?！斑^去的LDMOS達不到這些要求”（飛思卡爾）。此次該公司將LDMOS工藝由第6代提高到了第7代，從而就能在3.8GHz頻帶的WiMAX中使用。

該公司針對日本市場已經利用LDMOS技術開發出支持2.5GHz頻帶的功率放大器。據稱將于2006年上半年供應平均功率為35W、20W、7W及3W的各種產品樣品。（來源：技術在線 記者：野野 哲生）