富泰科技原廠KST—日本首家設計并加工半導體及光通信用硅晶圓以及膜產品

訊石光通訊網發布時間:2024/4/8 7:27:14 編者:iccsz

摘要：富泰科技原廠-KST公司利用獨有的生長工藝，能夠制備氧化層厚達20um的SOI（Silicon on Insulator）晶圓。除了常規的SOI晶圓之外，KST還可以根據客戶要求制作具有腔體結構的SOI晶圓（Cavity SOI）。

ICC訊 超厚的熱氧化層硅片：在平面光波導（AWG）制作過程中，處于最底層的SiO2膜被稱之為Undercladding層，它對AWG的工藝良率有至關重要的影響。KST公司生產的超厚熱氧化層硅片，由于具有優異的表面潔凈措施以及穩定的薄膜質量，占據了全球AWG市場的最大份額。

薄氧化層硅片：用于設備制造商的蝕刻速率測試和OSAT公司的封裝測試等測試領域。

SOI晶圓：KST公司利用獨有的生長工藝，能夠制備氧化層厚達20um的SOI（Silicon on Insulator）晶圓。除了常規的SOI晶圓之外，KST還可以根據客戶要求制作具有腔體結構的SOI晶圓（Cavity SOI），SOI 晶圓利用了 KST 獨特的厚熱氧化膜技術特點，是具有壓力傳感器等膜片結構的MEMS設備的最佳選擇。

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