ICC訊 12月11日,2022中國信息通信大會在成都召開,工信部領導、中國科協領導、四川省領導、兩院院士、學者、專家及企業家代表等出席,大會以“科技引領創新、5G賦能中國”為主題,圍繞5G/6G、量子通信、區塊鏈、國防通信等前沿技術展開交流。會上,中國通信學會“2021年中國信息通信領域重大科技進展”評選結果(全國共十項)揭曉,光迅科技參與的《16Tbit/s (80×200Gbit/s)10000公里標準單模光纖傳輸系統實驗》和《1.6Tb/s硅光互連芯片》兩個項目成功入選。
國內首次
16Tbit/s (80×200Gbit/s)10000公里標準單模光纖傳輸系統實驗
該實驗由中國信科集團光纖通信技術和網絡國家重點實驗室聯合鵬城實驗室、國家信息光電子創新中心、烽火通信和光迅科技等單位共同完成。實驗基于合作單位自主研制的超低損耗、超大有效面積光纖、低噪聲拉曼光放大器件以及硅基集成相干收發器等關鍵器件和模塊,采用新型數字預均衡技術結合Nyquist整形技術及自適應、可編程的光域信道均衡算法,完成了80×200Gbit/s DWDM Nyquist整形DP-QPSK光信號10000公里標準單模光纖傳輸系統實驗。
▲系統實驗配置圖與實物圖
該實驗是國內首個傳輸容量超10Tbit/s、傳輸距離達到10000公里的光纖傳輸系統實驗,實驗系統的成功標志著我國在超長距離、超大容量光纖傳輸技術領域取得了一次重要突破,將對我國跨洋和洲際光纖通信產業產生重大推動作用。
1.6Tb/s硅光互連芯片
該成果由國家信息光電子創新中心、光纖通信技術和網絡國家重點實驗室、光迅科技聯合鵬城實驗室共同研發,旨在破解網絡通信設備中數據帶寬和功耗互相制約的難題,通過光電融合大幅度提升數據傳輸的容量和能效比、系統性地突破Tb/s硅光收發芯片關鍵技術,滿足全球數據流量呈指數級爆發式增長的需求。在理論技術方面,聯合研發團隊系統性地掌握了光電協同硅光調制器和異質鍺硅波導探測器關鍵技術,將硅光有源器件帶寬提升至80GHz以上;攻克了多種硅光器件的制備工藝和兼容性問題,開發出高頻高密度封裝和先進光子鏈路均衡方法,在國際上首次完成了單片8×200Gb/s硅基光互連芯片的功能驗證。該芯片的通道速率和單片互連容量較現有商用硅光芯片分別提升2倍,實現我國光互連芯片向Tb/s級的首次跨越。
▲1.6Tb/s 硅基光互連芯片架構和實測結果
此芯片傳輸容量不僅刷新了國內此前光互連芯片速率和密度的最好水平(即“目前公開報道中國際最高指標”),還展現出硅光技術的超高速、超高密度、高可擴展性等突出優勢,為我國硅光技術方向描繪出高水平自立自強的光明前景。該技術成果也有效地支撐我國超高速(400Gb/s、800Gb/s、1.6Tb/s)光通信芯片產品的實現,將有力保障“東數西算”等重大工程順利實施,為數據中心海量數據的高速、高效、高可靠性傳輸方案提供技術指引和解決方案。
中國信息通信領域重大科技進展評選發布,旨在把握信息通信領域前沿動態,促進我國信息通信科技創新,鼓勵廣大科學家和科技工作者不斷向科學技術廣度和深度進軍。未來,光迅科技將繼續瞄準國際研發先進水平和國際商用最高水平,集中優勢科研資源和創新力量,持續增強自主創新能力,努力成為國內領先、國際一流光通信企業。