三安集成：第三代HBT面世 加速推進5G時代

  ICC訊  10月14日，三安集成連續第四次參加電子設計創新大會(EDICON)，與通訊行業同仁共同探討行業熱門話題。本次展會，三安集成攜最新突破的第三代HBT以及ED-mode pHEMT制程工藝，為客戶呈現兩場技術交流分享會。

  三安集成在砷化鎵射頻芯片制造工藝領域持續投入，不斷提高工藝水平，第三代HBT工藝可以應用于HPUE/APT PA，提供了更高的功率密度以及PAE水平，支持客戶在高頻段消費類通訊的應用需求。另外，0.1/0.15/0.25um pHEMT工藝均已實現量產，可以為客戶提供世界一流的生產能力和性能水平。在展會期間，砷化鎵射頻事業部的林義書處長就5G應用市場闡述三安集成的服務能力。

  為配合客戶在射頻前端模組的設計需求，三安集成也在積極建設濾波器產業鏈，于日本成立研發中心，匯集國際尖端科研智慧，及時響應市場動態，為客戶提供最新的技術成果;三安集成在泉州南安制造基地布局了完整的濾波器供應鏈，垂直整合了研發設計，襯底材料，芯片制造和封裝測試等環節，確保穩定持續的產能供應，預計到2021年第二季度，產能可以達到120Mu/月。濾波器事業部的謝祥政經理也就表面聲波濾波器仿真的相關議題進行了分享。

  三安以近20年的化合物半導體制造經驗，專業的設計支持團隊，以及豐沛的產能，為微波射頻、功率電子以及光技術領域的客戶提供標準化及客制化的生產服務。