三星攜手美企改善3納米良率 希望趕超臺積電

  ICC訊  據報道，三星已經與美國的 Silicon Frontline Technology 公司合作，以提高其半導體芯片在生產過程中的良率，以便于在 3 納米工藝上趕超臺積電。

  報道中稱，三星電子先進制程良率非常低，自 5 納米制程開始一直存在良率問題，在 4 納米和 3 納米工藝上情況變得更加糟糕。據傳三星 3 納米解決方案制程自量產以來，良率不超過 20%，量產進度陷入瓶頸。

  三星目前在 4 納米和 5 納米工藝節點上出現了與產量有關的問題，該公司不希望這個問題再次出現在 3 納米工藝上。因此希望通過和 Silicon Frontline Technology 公司合作，幫助三星晶圓廠進行前端(front-end)工藝和芯片性能改進。

  IT之家了解到，這家美國公司提供芯片鑒定評估和 ESD(靜電放電)預防技術。ESD 是造成半導體芯片缺陷的主要原因之一，是由制造過程中設備和金屬之間的摩擦造成的。據報道，三星在芯片設計和生產過程中已經與 Silicon Frontline 公司合作了很長時間，并取得了令人滿意的結果。該公司現在將在芯片驗證過程中使用該公司的技術。