II-VI與英飛凌簽署多年合同 供應用于電力電子的碳化硅基板

  ICC訊（編譯：Nina）2022年8月23日，寬帶隙化合物半導體的領導者II-VI公司(Nasdaq: IIVI)今天宣布，它與英飛凌科技股份有限公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)簽署了一份多年合同，為后者提供用于電力電子的150毫米碳化硅(SiC)基板。

  電動汽車(EV)市場的飛速增長正在推動EV動力傳動系統、車載電池充電單元和充電基礎設施對基于SiC的電力電子設備的需求。與最先進的硅基器件相比，SiC使電力電子器件更小、更高效，系統級總擁有成本更低。通過這份合同，英飛凌正在采取戰略步驟來確保其150毫米SiC基板的供應。II-VI和英飛凌還將合作向200毫米SiC基板過渡。

  II-VI新風險投資與寬帶隙電子技術業務部(New Ventures & Wide-Bandgap Electronics Technologies Business Unit)執行副總裁Sohail Khan表示：“英飛凌作為功率半導體的市場領導者，是我們的重要合作伙伴。我們高度專業化的產品現在正在幫助英飛凌為全球主要客戶提供創新的電子元件?！?

  英飛凌首席采購官Angelique van der Burg表示：“SiC化合物半導體在功率密度和效率方面樹立了新標準。我們正在利用它們來實現我們的去碳化和數字化戰略。英飛凌正在加大對SiC制造能力的投資，以滿足客戶快速增長的需求。我們很高興將II-VI加入到我們的戰略供應商群，共同發展我們的業務?！?

  2022年3月，II-VI宣布將在賓夕法尼亞州伊斯頓近30萬平方英尺的工廠進行大規模擴建，加快在150毫米和200毫米SiC基板制造方面的投資。隨著這次擴建，到2027年，II-VI 150毫米基板年產能將達到110萬個，200毫米基板的比例將隨著時間的推移而增長。