II-VI高意推出100Gbps磷化銦DML芯片 面向數據中心高速收發器部署

  ICC訊 （編譯：Aiur）隨著OFC2021虛擬展會開幕，光通訊半導體激光器全球領導者II-VI Incorporated(II-VI高意)宣布推出100 Gbps磷化銦(InP)直接調制激光器(DML)，應用于高速光收發器在數據中心的部署。

  400 GbE和800GbE收發器需求增長正在驅動對先進DML激光器持續的技術投資，相比于目前高速收發器所使用的電吸收調制激光器(EML)，DML擁有更低的成本和更具優勢的功耗表現。II-VI高意的100 Gbps DML擁有與眾不同的能力，可以在高輸出功率和低功耗的前提下實現領先的調制速率和信號完整。因此，II-VI高意DML芯片比EML更適合基于100Gbps光通道的400GbE和800 GbE光收發器。

  II-VI高意磷化銦器件事業部副總裁Charlie Roxlo博士表示：“嵌入式直接調制激光器是一種非常先進的技術，我們的早期研究成果于2021年1月發表在《自然光子學》雜志上，我們實現這一突破性的成果的原因是得益于多年的研發投資和廣泛的內部多學科半導體激光物理學家團隊的深厚專業知識、高速射頻模擬IC設計人員和收發器專家?！?

  II-VI高意新型DML芯片的研制是基于公司世界級、高可靠的InP技術平臺，該平臺在過去十年里獲得超過100萬顆激光器芯片實際部署，是業內少數幾個經受驗證的技術平臺之一。II-VI高意DML的低功耗特點和面向非氣密性封裝的設計是今天可插拔收發器和未來共封裝(co-packaged)解決方案理想的選擇。

  II-VI高意廣泛的InP芯片產品包括FP激光器、DML、EML和可調諧激光器，以及應用于高速接收器和功率監控的光電二極管產品。這些芯片適用于Lan-WDM和CWDM波長計劃。