南智光電攜手逍遙科技 | 基于PIC Studio平臺正式發布南智光電硅光PDK&培訓交流邀請

  引言

  南智光電與逍遙科技共同宣布，基于PIC Studio光電芯片設計平臺的南智光電硅光PDK：IOPTEE-SIP-Si-Cband-V1.0正式發布，即將面向硅光設計用戶提供服務。

  合作背景

  南智光電的硅光制程平臺基于180 nm CMOS工藝線，采用具有3 μm埋氧層和220 nm頂層硅的200 mm SOI襯底，能夠實現無源器件、熱光調諧器件等各類硅光子器件的制作。

  逍遙科技多年來專注于光電子集成電路設計自動化領域，PIC Studio平臺為光電子芯片設計提供了從設計、仿真到驗證的全流程支持。

  PDK內容

  1. 完整PDK支持

  PIC Studio平臺完整支持南智光電的硅光PDK，包括但不限于：

  ●  南智光電提供的光柵耦合器、多模干涉耦合器、定向耦合器等無源器件

  ●  微環諧振腔等熱光調諧器件

  ●  各類波導器件的參數化設計

圖1:南智硅光平臺總覽圖。

 

圖2：器件庫性能參數表。

  2.精準DRC實現

  基于南智光電提供的設計規則(Design Rules)，PIC Studio平臺實現：

  ●  FE/SE/ME層波導最小寬度(0.18μm)檢查

  ●  HTR層最小寬度(2.00μm)與間距檢查

  ●  M1層金屬導線寬度與間距規則檢查

  ●  PAD層開口及其與M1層關系檢查

  ●  DTR層最小寬度(100μm)規則檢查

  ●  所有層的角度規則(禁止<85°)檢查

  3.pVerify工具集成

  逍遙科技的PIC Studio平臺集成專業的pVerify工具，為南智光電的硅光設計提供全面的DRC檢查功能：

  ●  實時DRC檢查，在設計過程中提前發現問題

  ●  批量DRC驗證，確保設計完全符合南智光電工藝要求

  ●  直觀的錯誤報告與可視化界面，幫助設計師快速定位并解決問題

圖3:展示版圖經由 pVerify 工具進行工藝規則檢查后的結果，檢測出(a)波導寬度違規(b)銳角違規

硅光平臺MPW批次及時間表

  

  線上培訓交流 

  培訓內容概覽

  南智光電硅光流片平臺最新工藝介紹（30分鐘）

  主講人：南智光電 溫文俊博士

  基于PIC Studio的PDK高效應用實操講解（30分鐘）

  主講人：逍遙科技 韓雨輝

  技術交流與答疑（20分鐘）

  培訓亮點

  展示商用軟件的設計優勢

  完整PDK支持，解壓即用

  互動有獎

  本次培訓旨在幫助用戶深入了解IOPTEE PDK的應用，提高設計效率，歡迎廣大技術人員踴躍參與！

  主辦方：南智光電 逍遙科技

  2025年4月21日下午15：00-16：30

  活動地點：線上會議

（掃碼立即預約報名，名額有限，先到先得）

  關于南智光電

  南智光電硅光子學平臺基于180 nm CMOS工藝線，提供MPW、Full Mask、EBL等多種流片方式，可實現無源器件、熱光調諧器件等各類硅光子器件的制作，應用于數據通信、光計算、生物感測等領域。

  關于逍遙科技

  逍遙科技的自主研發PIC Studio平臺為光電子芯片設計提供設計、仿真到驗證的全流程支持。