AXT向主要客戶提供首批8英寸GaAs晶圓

  化合物半導體襯底制造商AXT已開發出其首批8英寸GaAs襯底并將其給了主要客戶。這些8英寸GaAs襯底是摻硅n型襯底，具有低腐蝕坑密度(EPD)和低水平滑移線。

摻硅n型襯底表現出低腐蝕坑密度(EPD)和低水平滑移線

  “這是AXT的一項重大成就和重要里程碑，”首席執行官Morris Young說，“直徑大小的每一步提升都伴隨著生產技術挑戰的大幅增加。但是，AXT一直是該領域的先驅，以企業家精神來推動創新，以釋放新應用的潛力。此外，我們第一批晶圓的材料質量證明了我們對品質卓越的承諾和我們VGF晶體生長工藝的差異化。我們很高興能夠在擴展性、低應力和低缺陷率方面為我們的客戶提供有意義的優勢?！?

  由于大批量應用的市場發展，許多客戶對AXT表示了濃厚興趣，這些應用包括用于3D傳感器和LiDAR的VCSEL，以及用于顯示器的microLED。AXT預測，當這些應用被采用后，對8英寸GaAs晶圓的需求范圍將會擴展。

  Young接著表示：“盡管我們在這個項目上仍有開發工作要做，但我們在定興和喀左新建的世界一流的生產設施可以使8英寸砷化鎵晶圓具有商業可行性。AXT的兩個新設施都是專門為大批量制造化合物半導體襯底而設計和建造的，使用了先進的設備和改進的自動化。此外，在設計新設施時還考慮到了制造量的擴大，我們相信我們有一條開發和推出8英寸砷化鎵襯底大批量生產線的捷徑。"